В официальном блоге Corsair появилась публикация, посвящённая оперативной памяти следующего поколения DDR5. В материале говорится об изменениях, свойственных новому стандарту, которые позволят значительно повысить скорость, энергоэффективность и ёмкость отдельного модуля.
Corsair упоминает, что технология памяти DDR5 позволит удвоить пропускную способность при одновременном снижении уровня энергопотребления. Так, рабочее напряжение питания снизится с нынешних 1,2 В до 1,1 В. В то же время заметно возрастёт ёмкость модулей. Отдельные модули смогут иметь ёмкость до 128 ГБ, что в 4 раза превышает показатели нынешнего стандарта DDR4. По мнению Corsair, это подтолкнёт разработчиков игр к постепенному использованию преимуществ этого большого буфера памяти. Хотя конечные потребители вряд ли будут в восторге от разрастания аппетитов игр.
Согласно спецификациям JEDEC, максимальная официальная скорость памяти DDR5 составляет 6400 МТ/с (млн транзакций в секунду). Это не относится к разогнанным в заводских условиях модулям с собственными профилями XMP. Но такие показатели будут доступны не сразу. Первые платформы с поддержкой памяти DDR5 должны появиться ближе к концу этого года. Такую память будут поддерживать процессоры Intel Core 12-го поколения (кодовое название Alder Lake-S). Но возможности этой платформы будут ограничены лишь модулями со скоростью 4800 МТ/с. Поддержка более скоростных решений появится лишь в приемнике Alder Lake-S.
Конструкция отдельных модулей памяти DDR5 предусматривает разделение на два отдельных канала, что позволяет использовать более короткие дорожки. Это, в свою очередь, способствуют меньшим задержкам и более высокой скорости, когда дело доходит до связи с отдельными микросхемами памяти на одном модуле памяти. Это также позволяет задействовать зеркалирование команд/адресов. Сигнал от центрального процессора должен проходить более короткий общий путь для доступа к конкретным банкам памяти, тогда как в DDR4 сигнал команды/адреса должен проходить через все банки памяти в более длительной цепи. В DDR4, когда нужно было обновить один банк памяти, процессор вынужден был ждать обновления всех банков памяти в модуле, прежде чем выполнять другую операцию чтения или записи. Технология DDR5 предусматривает удвоение групп банков, и когда необходимо обновить банк, обновляется только один банк группы. Соответственно, доступ к другим группам банков памяти получается без необходимости ожидания со стороны процессора.
Благодаря реализованным улучшениям, общие задержки высокопроизводительных комплектов памяти будут аналогичны возможностям комплектов предыдущих поколений DRAM и составят 14-15 нс. Наконец, Стандарт DDR5 подразумевают использование встроенной в чип функции коррекцию ошибок (ECC), что позволит достичь более высоких частот.
Источник: videocardz
