На FMS 2026 компания представила концепцию zHBM, прототип V10 V-NAND с более чем 400 слоями и новое поколение памяти для ИИ-серверов
Samsung Electronics представила на конференции Future of Memory and Storage (FMS) 2026 сразу несколько разработок для систем искусственного интеллекта, включая концепцию памяти zHBM, прототип V10 Bonding V-NAND с более чем 400 слоями и обновлённую дорожную карту памяти для ИИ-серверов.
Наиболее заметной новинкой стала архитектура zHBM, которая размещает высокоскоростную память непосредственно над ИИ-ускорителем, а не рядом с ним.
По оценке Samsung, такая компоновка позволит сократить путь передачи данных и в перспективе обеспечит примерно 8-кратный прирост производительности по сравнению с HBM5, более чем 10-кратное увеличение плотности памяти, 3-кратный рост энергоэффективности и снижение теплового сопротивления более чем на 50%. Компания подчёркивает, что это расчётные показатели концепции, а не результаты испытаний готовых устройств.
Ещё одной новинкой стал прототип V10 Bonding V-NAND с более чем 400 слоями. Технология использует схему Bonding Vertical (BV), при которой массив ячеек памяти и управляющие схемы изготавливаются отдельно, а затем соединяются в единую структуру. По данным Samsung, это увеличивает плотность хранения примерно на 58% по сравнению с V9 V-NAND, одновременно повышая скорость чтения, записи и обмена данными.
Компания также показала концепцию zNAND-O для периферийных ИИ-систем, а также HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM и корпоративные SSD PM1763 и BM1773.
При этом Samsung не раскрыла сроки коммерческого выпуска новых технологий, стоимость, совместимость с ИИ-ускорителями и результаты независимых испытаний, поэтому пока речь идёт о демонстрации перспективных разработок и прототипов, а не готовых серийных продуктах.
