Во время проведения конференции IEDM компании IBM и Samsung заявили, что они совершили прорыв в сфере разработки полупроводников. Они представили новую конструкцию вертикального размещения транзисторов на кристалле.
В современных процессорах и системах-на-чипе транзисторы расположены горизонтально на поверхности кремния, а электрический ток течёт из стороны в сторону. В то же время транзисторы VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors) располагаются перпендикулярно друг относительно друга, а ток течёт вертикально.
Как утверждают IBM и Samsung, такая конструкция имеет два преимущества. Во-первых, она позволяет обойти многие ограничения производительности. Что еще более важно, эта конструкция обеспечивает лучшее течение тока, а значит вызывает меньшие потери энергии. По оценкам IBM и Samsung, технология VTFET позволит создавать процессоры, которые будут либо вдвое более производительными, либо смогут потреблять на 85% меньше энергии по сравнению с чипами, созданными на базе технологии FinFET. Компании утверждают, что однажды эта разработка может позволить телефонам работать целую неделю без подзарядки. Кроме того, многие энергоёмкие задачи, такие как майнинг криптовалют, могут стать более энергоэффективными и, следовательно, оказывающими меньший вред окружающей среде.
Компании IBM и Samsung пока не уточнили, когда они планируют приступить к коммерческой эксплуатации технологии вертикальных транзисторов VTFET.
Источник: Engadget
