Samsung является одним из значимых игроков на рынке полупроводников и главным конкурентом TSMC по части разработки архитектуры. Напомним, недавно тайваньцы представили свою 3-нм технологию и даже рассказали о 2-нм аналоге. Ну а Samsung объявила о старте производства своего видения 3-нм архитектуры с новой технологией Gate-All-Around (GAA), позволяющей обойти ограничения FinFET от сегодняшних топовых чипов. Это обеспечит достойный прирост производительности (за счет увеличения допустимого тока) и энергоэффективности (за счет снижения напряжения). По словам Samsung, первое поколение 3-нм архитектуры обеспечит +23% к производительности, +45% к энергоэффективности и 16% экономии пространства в сравнении с 5-нм аналогом. Второе поколение доведет эти цифры до 30, 50 и 35% соответственно.
Также корейцы сообщили о первом применении технологии транзисторных нанолистов, которые приходят на замену нанопроволоке. Ее преимущество – более широкие каналы, которые становятся предпосылкой к росту производительности, энергоэффективности и уровня оптимизации. Сперва ее попробовали на высокопроизводительных вычислительных системах с последующим переносом на мобильные чипсеты. Вероятно, первые реальные проекты на 3-нм архитектуре Samsung мы увидим в конце этого года в исполнении Qualcomm и/или Apple.
© Артур Лучкин. Mobiltelefon
По материалам Samsung
