Южнокорейский производитель микросхем памяти SK Hynix на днях объявил о начале массового производства модулей оперативной памяти LPDDR5 объемом 18 ГБ для следующего поколения геймерских смартфонов. Это новый абсолютный рекорд для индустрии
Пропускная способность новой памяти составляет 6400 Мбит/с в расчете на одну линию — примерно на 20% выше по сравнению с нынешними моделями (5500 Мбит/с). Производитель заявляет, что такая скорость позволяет передать десять фильмов в Full HD объемом 5 ГБ каждый всего за секунду.
Первым серийным смартфоном с 18 ГБ ОЗУ производства SK Hynix станет ASUS ROG Phone 5, чей анонс состоится уже завтра, 10 марта.
Рассуждать о целесообразности наделения смартфонов столь внушительным объемом ОЗУ мы не станет. Но все же нельзя не отметить, что это больше, чем у многих современных топовых ноутбуков, а также вспомнить известную фразу-мем Билла Гейтса.
К слову, 18 ГБ — это далеко не предел. Стандарт оперативной памяти LPDDR5 (Low Power Double Data Rate 5), утвержденный комитетом JEDEC в феврале 2019 года, подразумевает выпуск микросхем объемом до 32 ГБ.
По оценкам Omdia, память LPDDR5 сейчас занимает 10% совокупного рынка мобильной DRAM, а уже к 2023 году ее доля перевалит за 50%.
