Ассоциация JEDEC опубликовала спецификацию следующей версии стандарта High Bandwidth Memory (HBM) DRAM – JESD238 HBM3.
HBM3 предлагает более высокую пропускную способность и повышенную скорости обработки данных в приложениях, требовательных к производительности подсистемы памяти. Ключевыми особенностями памяти HBM3 являются следующие:
- Удвоенная по сравнению с HBM2 скорость передачи данных – до 6,4 Гбит/с на вывод, что эквивалентно 819 ГБ/с на устройство.
- Количество независимых каналов увеличилось в 2 раза – с 8 в HBM2 до 16 в HBM3. С учётом двух псевдоканалов на каждый канал, HBM3 фактически поддерживает 32 канала.
- Поддержка 4-, 8- и 12-уровневых стеков TSV с возможностью будущего расширения до 16-уровневого стека TSV.
- Поддержка широкого диапазона плотностей от 8 Гбит до 32 Гбит на слой памяти, что обеспечивает ёмкость устройств от 4 ГБ (4 слоя по 8 Гбит) до 64 ГБ (16 слоёв по 32 Гбит); Ожидается, что устройства HBM3 первого поколения будут представлены слоями плотностью 16 Гбит.
- Поддержка коррекции ошибок ECC на уровне чипа.
- Повышенная энергоэффективность за счёт использования сигналов low-swing (0,4 В) на интерфейсе хоста и более низкого рабочего напряжения питания 1,1 В.
Спецификация HBM3 уже доступна для загрузки с сайта организации JEDEC.
Источник: Videocardz
