Исследователи из Университета Фудань в Китае разработали революционную энергонезависимую флеш-память PoX, способную записывать один бит за 400 пикосекунд — это около 25 миллиардов операций в секунду. Впервые энергонезависимая память достигла скоростей, сравнимых с самыми быстрыми энергозависимыми типами памяти, такими как SRAM и DRAM. Благодаря использованию графена и технологии двумерной сверхинжекции, разработка обещает преобразить системы искусственного интеллекта (ИИ), мобильные устройства и высокопроизводительные вычисления.
Изображение сгенерировано Kandinsky
Традиционная флеш-память сохраняет данные без питания, но её скорость записи значительно ниже, чем у оперативной памяти, что ограничивает её применение в современных ИИ-приложениях. Команда под руководством Чжоу Пэна заменила кремниевые каналы графеном, настроив длину канала для создания баллистического транспорта зарядов. Это позволило добиться сверхбыстрой инжекции зарядов в накопительный слой, устранив ключевой барьер производительности. Оптимизация процессов с помощью ИИ довела память PoX до теоретического предела скорости, сохраняя энергонезависимость и минимальное энергопотребление.
Её низкое энергопотребление идеально подходит для систем с ограниченной батареей, а совместимость с технологиями двухмерных материалов, таких как графен, облегчает интеграцию в существующие производственные процессы.
